По сравнению со стандартными 1,5-В DDR3-модулями новая память Micron использует гигабитные DDR3-микросхемы, способные функционировать при напряжении питания всего 1,35 В. Согласно представителям компании, более низкое напряжение питания позволяет повысить экономию электроэнергии. При этом производительность памяти остается на высоком уровне – пропускная способность достигает 1333 мегабит в секунду.
Вице-президент по маркетингу DRAM-продукции компании Micron Роберт Ферл (Robert Feurle) сообщил, что новые модули памяти для ноутбуков позволяют снизить энергопотребление примерно на 20% по сравнению с традиционной 1,5-В DDR3-памятью. При этом они характеризуются производительностью уровня настольных ПК.
Комментарии /0
После 22:00 комментарии принимаются только от зарегистрированных пользователей ИРП "Хутор".
Авторизация через Хутор: