Новая память с фазовым переходом в 1000 раз быстрее флэш-памяти

Первые тесты сконструированного в университетских стенах запоминающего устройства показали, что процессы записи, удаления и восстановления информации длятся лишь 50 наносекунд, что означает, что это устройство приблизительно на три порядка быстрее среднестатистической флэш-памяти и потребляет совсем немного энергии для декодирования данных (около 0.7 милливатт на бит). При этом обеспечивается длительное сохранение информации (по уверениям ученых более 100000 лет). Но помимо скорости и низкого энергопотребления у данной технологии есть еще одно существенное преимущество перед флэш - потенциальная емкость подобных устройств находится на "терабитном уровне". Правда, по словам господина Агарвала, до начала коммерческого использования этой технологии может пройти до десяти лет.