Создан сверхбыстрый графеновый транзистор

Создан сверхбыстрый графеновый транзистор

В стране и миреНаука и техника
Специалисты Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM (США) сконструировали графеновый полевой транзистор с расчетной граничной частотой, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, равной 100 ГГц.

Для создания графенового слоя авторы в течение двух минут выдерживали пластину карбида кремния при температуре 1 450 ˚C. Затем методом электронной литографии были сформированы электроды истока и стока — слои титана, палладия и золота толщиной 1, 20 и 40 нм. На сохранившиеся между ними каналы открытого графена ученые нанесли защитный диэлектрический слой полигидроксистирола толщиной 10 нм, расположив сверху диоксид гафния, отличающийся высокой диэлектрической проницаемостью, и электрод затвора.

Длина затвора лучших из созданных транзисторов сравнительно велика и составляет 240 нм (современные кремниевые устройства, напомним, уже дошли до 32 нм). В опытах оценивалось функционирование транзисторов на частоте до 30 ГГц; граничную частоту в 100 ГГц исследователи получили путем экстраполяции. Стоит заметить, что предыдущий вариант графенового транзистора IBM, представленный в январе прошлого года, имел граничную частоту всего в 26 ГГц, а кремневые аналоги при сравнимой длине затвора демонстрируют значение 40 ГГц.

В будущем авторы займутся уменьшением размеров и оптимизацией конструкции устройства и постараются повысить качество графенового слоя. Кроме того, им необходимо подумать над тем, как создать ненулевую запрещенную зону в графене, поскольку текущий вариант транзистора, в котором используется материал без запрещенной зоны, нельзя применять в схемах логики.


Фото /2

1
2
Вступайте в группу Город Новостей в социальной сети Одноклассники, чтобы быть в курсе самых важных новостей.

всего: 446 / сегодня: 1

Комментарии /0

После 22:00 комментарии принимаются только от зарегистрированных пользователей ИРП "Хутор".

Авторизация через Хутор:



В стране и мире