Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек

Toshiba сделала первый шаг к созданию сверхъемких флэшек

В стране и миреНаука и техника
Компания Toshiba разработала технологию, позволяющую в будущем создавать флэш-память с топологическим размером элемента в 10 нанометров, сообщается в пресс-релизе корпорации. Это в несколько раз меньше нынешних элементов.

Новая структура состоит из двух оксидных пленок толщиной в 1 нанометр и нанокристаллов кремния размером в 1,2 нанометра между ними. Она позволяет эффективно удерживать и выпускать электроны.

Технология "двойного туннелирования" (double tunneling) позволит в течение четырех лет создавать микросхемы, на которых умещается до 100 гигабит (12,5 гигабайт) данных, отмечает Tech.co.uk.

В настоящее время такие популярные устройства как плееры Apple iPod используют 16-гигабитные микросхемы памяти. В октябре компания Hynix заявила о том, что сумела разработать 64-гигабитный чип по 30-нанометровой технологии.

Toshiba является вторым в мире поставщиков микросхем флэш-памяти, уступая только Samsung.
Подписывайтесь на наш Telegram, чтобы быть в курсе самых важных новостей. Для этого достаточно иметь Telegram на любом устройстве, пройти по ссылке и нажать кнопку Join.

всего: 975 / сегодня: 1

Комментарии /0

После 22:00 комментарии принимаются только от зарегистрированных пользователей ИРП "Хутор".

Авторизация через Хутор:



В стране и мире